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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供1N5239B-T由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 1N5239B-T价格参考。Diodes Inc.1N5239B-T封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载1N5239B-T参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有1N5239B-T 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated生产的1N5239B-T是一款齐纳二极管,属于“二极管 - 齐纳 - 单”类别。这款器件的主要应用场景包括: 1. 电压稳压 - 功能:1N5239B-T的齐纳击穿电压为6.8V(典型值),能够用于电路中的电压稳压。它通过将反向电流维持在一定范围内,确保输出电压稳定。 - 应用:适用于低功率电源电路、参考电压源或精密电路中的电压调节。 2. 过压保护 - 功能:当电路中出现瞬时高电压时,齐纳二极管可以将电压钳位到其额定值,从而保护后续电路免受损坏。 - 应用:常用于传感器接口、信号传输线路或敏感电子设备的输入端口保护。 3. 信号电平转换 - 功能:利用齐纳二极管的钳位特性,可以将输入信号限制在特定的电压范围内。 - 应用:例如,在音频放大器或数据通信线路中,防止信号幅度过大导致失真或损坏。 4. 基准电压源 - 功能:齐纳二极管可以提供稳定的基准电压,用于比较器电路、ADC/DAC参考电压等。 - 应用:适用于简单的模拟电路设计,作为低成本的基准电压解决方案。 5. 浪涌抑制 - 功能:在电源启动或外部干扰情况下,齐纳二极管可以吸收多余的电压能量,防止浪涌对电路的影响。 - 应用:常见于开关电源、电机驱动电路或其他需要抗浪涌能力的场景。 注意事项 - 功率限制:1N5239B-T的最大功耗为500mW,因此不适合高功率稳压场合。 - 工作温度范围:-55°C至+150°C,适合工业级和汽车级应用。 - 封装形式:DO-41封装,便于焊接和安装。 总结来说,1N5239B-T适用于需要简单、可靠且低成本电压稳压或保护功能的小型电子设备和电路中。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | DIODE ZENER 9.1V 500MW DO35稳压二极管 500MW 9.1V |
产品分类 | 单二极管/齐纳分离式半导体 |
品牌 | Diodes Incorporated |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 二极管与整流器,稳压二极管,Diodes Incorporated 1N5239B-T- |
数据手册 | |
产品型号 | 1N5239B-T |
PCN过时产品 | |
RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
不同If时的电压-正向(Vf) | 1.1V @ 200mA |
不同 Vr时的电流-反向漏电流 | 3µA @ 7V |
产品目录页面 | |
产品种类 | 稳压二极管 |
供应商器件封装 | DO-35 |
其它名称 | 1N5239BCT |
功率-最大值 | 500mW |
功率耗散 | 500 mW |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | Diodes Incorporated |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
容差 | ±5% |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DO-204AH,DO-35,轴向 |
封装/箱体 | DO-35 |
工作温度 | -65°C ~ 200°C |
工厂包装数量 | 10000 |
最大反向漏泄电流 | 3 uA |
最大工作温度 | + 200 C |
最大齐纳阻抗 | 10 Ohms |
最小工作温度 | - 65 C |
标准包装 | 1 |
电压-齐纳(标称值)(Vz) | 9.1V |
电压容差 | 5 % |
电压温度系数 | 0.068 %/C |
系列 | 1N5239 |
配置 | Single |
阻抗(最大值)(Zzt) | 10 欧姆 |
齐纳电压 | 9.1 V |