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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD3055-150T4G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD3055-150T4G价格参考。ON SemiconductorNVD3055-150T4G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NVD3055-150T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NVD3055-150T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD3055-150T4G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率转换与控制的场合。其主要应用场景包括: 1. 电源管理:适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电源适配器,因其高耐压与低导通电阻特性,有助于提升电源转换效率并减少发热。 2. 电机控制:在直流电机驱动、步进电机及无刷电机控制系统中,作为功率开关使用,具备快速开关能力和高可靠性。 3. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、UPS不间断电源以及工业变频器中,实现直流到交流的高效转换。 4. 汽车电子:适用于汽车电源系统、车载充电器及电池管理系统(BMS),符合汽车行业对高可靠性和高温工作能力的要求。 5. 工业自动化:用于工业控制设备中的负载开关、继电器替代及高边/低边开关应用。 该器件具有高雪崩耐量、低栅极电荷和优良的热性能,适合在高频率、高效率的功率电路中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVD3055-150T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 280pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 150 毫欧 @ 4.5A,10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 9A (Ta) |