Datasheet下载- 型号： NVD14N03RT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVD14N03RT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVD14N03RT4G价格参考。ON SemiconductorNVD14N03RT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVD14N03RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVD14N03RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVD14N03RT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有30V耐压、14A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)低至8.5mΩ（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于笔记本电脑、平板、机顶盒等设备的同步降压（Buck）转换器中，作为高边或低边开关，提升转换效率； ✅ 负载开关与电源管理：在便携式设备中控制模块供电通断（如USB接口电源开关、背光驱动供电），利用其低Rds(on)减小压降和发热； ✅ 电机驱动：适用于小型直流电机（如风扇、打印机步进电机细分驱动）的H桥或单路驱动电路，支持PWM调速； ✅ LED照明驱动：用于恒流/恒压LED驱动器中的开关管或调光控制； ✅ 电池保护与充电管理：在锂电池充放电保护板（如多节串联电池组）中用作充放电路径控制开关。 该器件符合AEC-Q101汽车级可靠性标准（后缀“NVD”系列常用于车规应用），因此也适用于车载辅助系统（如车灯控制、座椅调节、ADAS传感器供电等对可靠性要求较高的场景）。其DPAK封装兼顾散热性与贴片工艺兼容性，适合自动化生产。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 14A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVD14N03RT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 115pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.8nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 95 毫欧 @ 5A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 1.04W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.5A （Ta） |
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