Datasheet下载- 型号： NVB6413ANT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVB6413ANT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVB6413ANT4G价格参考。ON SemiconductorNVB6413ANT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVB6413ANT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVB6413ANT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NVB6413ANT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有60V耐压、130A连续漏极电流（Tc=25℃）、低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.8mΩ @ Vgs=10V），并支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.5V）。 其主要应用场景包括： ✅ 汽车电子系统：广泛用于48V轻混动力（MHEV）及12V车载电源管理，如DC-DC转换器（升降压拓扑）、电动助力转向（EPS）电机驱动、车身控制模块（BCM）中的负载开关与LED/继电器驱动； ✅ 工业电源与电机控制：适用于高效率开关电源（如服务器PSU、通信电源）、BLDC无刷电机驱动半桥/全桥电路、工业泵/风扇的PWM调速控制； ✅ 电池管理系统（BMS）：作为主回路充放电保护开关或预充电/均衡开关，凭借低Rds(on)减少发热，提升能效与可靠性； ✅ 高可靠性要求场景：通过AEC-Q101车规认证，具备强抗雪崩能力（UIS额定值达120mJ）和鲁棒的ESD防护，适用于严苛温度（-55℃~175℃结温）及振动环境。 该器件强调高功率密度、快速开关性能与热稳定性，适合空间受限且需高效热管理的设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 40A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NVB6413ANT4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 28 毫欧 @ 42A，10V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 136W |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 42A （Tc） |
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