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- 型号： NVB60N06T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NVB60N06T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NVB60N06T4G价格参考。ON SemiconductorNVB60N06T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NVB60N06T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NVB60N06T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ONS品牌下的NVB60N06T4G是一款N沟道增强型功率MOSFET（单管），采用TO-263（D²PAK）封装，主要参数包括：VDS = 60V、ID（连续）= 60A（TC=25°C）、RDS(on)典型值低至~9.5mΩ（VGS=10V），具备高电流承载能力与低导通损耗。 该器件适用于中高压、大电流的直流开关场景，典型应用包括： ✅ 汽车电子系统：如车身控制模块（BCM）中的电机驱动（车窗升降、座椅调节）、LED前照灯/尾灯调光与开关、DC-DC转换器（12V→5V/3.3V）、启动/停止系统电源管理；因其通过AEC-Q101认证，具备车规级可靠性与温度耐受性（-55℃~175℃结温）。 ✅ 工业电源与电机控制：开关电源（SMPS）次级同步整流、电动工具/泵类BLDC电机的半桥/全桥驱动、UPS逆变器输出级、电池管理系统（BMS）中的充放电主控开关。 ✅ 消费类高功率设备：大功率充电器（如PD快充协议中的高压侧开关）、智能家电（变频空调压缩机驱动辅助电路、洗衣机主驱H桥）等需高效、紧凑设计的场景。 其低RDS(on)与优化的栅极电荷（Qg≈65nC）兼顾开关速度与EMI表现，配合TO-263封装利于PCB散热，适合自动化贴装与高功率密度布局。注意设计时需合理配置栅极驱动电阻与PCB铜箔散热面积，以保障动态性能与热稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NVB60N06T4G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3220pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 81nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 60A （Ta） |
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