Datasheet下载- 型号： NTUD3129PT5G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTUD3129PT5G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTUD3129PT5G价格参考。ON SemiconductorNTUD3129PT5G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTUD3129PT5G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTUD3129PT5G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTUD3129PT5G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用超小型SOT-563封装（尺寸仅1.6×1.6×0.55 mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为240 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 1.7 nC）和±12 V栅源电压耐受能力，额定漏源电压VDS = –20 V，连续漏极电流ID = –380 mA（Ta=25°C）。 其主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电源路径控制，利用其双P-MOS结构实现高效、紧凑的反向电流阻断与电源切换。 ✅ 电池供电系统的充放电保护电路：在单节锂离子/聚合物电池应用中，配合充电IC实现过放保护或电池备份切换。 ✅ LED驱动与背光控制：作为低侧/高侧开关，驱动小功率LED或OLED显示屏背光，支持PWM调光。 ✅ 接口电平转换与I/O保护：在低功耗MCU（如ARM Cortex-M0+）系统中，用于3.3 V/1.8 V逻辑信号的上拉/使能控制及ESD敏感端口的隔离。 ✅ 空间受限的IoT传感器节点：如温湿度传感器、BLE模块等，以双MOSFET替代分立器件，节省PCB面积并提升可靠性。 该器件强调高集成度、小尺寸与低功耗特性，不适用于大电流或高功率场景，但非常适合对体积、功耗和成本敏感的微型化消费类及可穿戴电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT-963 |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NTUD3129PT5G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 12pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SOT-963 |
| 功率-最大值 | 125mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SOT-963 |
| 标准包装 | 8,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 140mA |
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