Datasheet下载- 型号： NTTS2P02R2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTTS2P02R2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTTS2P02R2G价格参考。ON SemiconductorNTTS2P02R2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTTS2P02R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTTS2P02R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTTS2P02R2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型TSOP-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅2.2mΩ @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 11nC）和高电流能力（ID = –20A连续，脉冲达–60A）。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关、电池保护电路及USB端口过流/反向电压防护，得益于其低Rds(on)和小尺寸，可显著降低功耗与PCB面积。 2. DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）转换器中作为同步整流管，提升效率（尤其在低压大电流输出时），适用于快充协议适配器、PD电源模块等。 3. 热插拔与电源排序电路：配合控制IC实现受控上电/断电，防止浪涌电流，常见于工业主板、网络设备及FPGA供电系统。 4. 高可靠性汽车电子辅助应用：虽非AEC-Q101认证车规级器件，但在部分车载信息娱乐（IVI）或车身控制模块（BCM）的非安全关键子系统中，用于LED驱动、传感器供电开关等。 该器件工作结温范围为–55°C至+150°C，具备ESD保护（HBM ≥ 2kV），适合高密度、高能效设计。选型时需注意其为P沟道，常用于高边开关配置，驱动需满足负压关断要求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR P-CHAN SGL 20V 8MICRO |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTTS2P02R2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 其它名称 | NTTS2P02R2GOSCT |
| 功率-最大值 | 780mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A （Ta） |
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