Datasheet下载- 型号： NTQD6968NR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTQD6968NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTQD6968NR2G价格参考。ON SemiconductorNTQD6968NR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTQD6968NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTQD6968NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTQD6968NR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用SOT-163（即SOT-23-6）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约28mΩ @ Vgs=4.5V）、高开关速度和紧凑尺寸等特点。其典型应用场景包括： - 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关、电池保护电路或DC-DC转换器的同步整流开关，利用其双N-MOS结构实现高效、小型化设计。 - LED驱动与背光控制：在多路LED背光或RGB指示灯系统中，两个独立MOSFET可分别控制不同LED支路的通断与调光（配合PWM信号），提升能效与响应速度。 - H桥或半桥驱动电路：常用于微型电机驱动（如振动马达、小风扇）或继电器驱动，配合外部逻辑或驱动IC构成低功耗、低成本的双向/单向控制方案。 - 接口电平转换与信号切换：在I²C、USB等数据线路上用作双向电平移位器或热插拔保护开关，利用其低阈值电压（Vgs(th) 1–2.5V）兼容3.3V/1.8V系统。 - 电源多路复用（Power ORing）与冗余供电管理：在双电源输入系统中实现自动切换，防止反向电流，提升系统可靠性。 该器件集成度高、热性能优（θJA ≈ 200°C/W），适用于空间受限且对效率、响应速度有要求的中低功率（<2A连续电流）应用。需注意PCB布局散热及栅极驱动稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTQD6968NR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 630pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-TSSOP |
| 其它名称 | NTQD6968NR2GOS |
| 功率-最大值 | 1.39W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.2A |
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