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产品简介:
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NTP75N03R-006(ON Semiconductor)是一款N沟道增强型功率MOSFET,典型参数为:VDS=30V、ID=75A(Tc=25℃)、RDS(on)低至6.0mΩ(VGS=10V),采用TO-220封装,具备高电流、低导通损耗和良好热稳定性。 主要应用场景包括: 1. DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK电路,提升转换效率; 2. 电机驱动:适用于中小功率直流电机(如风机、泵、电动工具)的H桥或单向驱动电路,支持快速开关与大电流承载; 3. 电池管理系统(BMS):用作充放电保护开关或负载开关,配合保护IC实现过流/短路切断; 4. LED照明驱动:在高亮度LED恒流驱动或调光电路中作为主开关器件; 5. 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(注:需确认具体批次是否通过认证),可用于车载风扇、车窗升降、座椅调节等12V/24V低压负载控制。 其低RDS(on)和强脉冲电流能力(IDM=300A)特别适合高效率、高功率密度的设计需求。使用时建议搭配合适栅极驱动与散热设计,确保长期可靠运行。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 75A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTP75N03-006 |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5635pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6.5 毫欧 @ 37.5A,10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | NTP75N03-006OS |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |