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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP6N60由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP6N60价格参考。ON SemiconductorNTP6N60封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTP6N60参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTP6N60 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTP6N60 是 ON Semiconductor(安森美)推出的 N 沟道增强型高压功率 MOSFET,采用 TO-220 封装,主要参数包括:耐压 600 V、连续漏极电流 ID = 6 A(Tc=25℃)、RDS(on) 典型值 1.2 Ω(VGS = 10 V),具备快速开关特性与内置体二极管。 其典型应用场景包括: ✅ 开关电源(SMPS):广泛用于 AC-DC 适配器、PC 电源、LED 驱动电源中的主开关管或PFC(功率因数校正)电路; ✅ 电机控制:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)驱动、风扇/泵类家电的H桥或单管驱动; ✅ 工业控制:在PLC输出模块、继电器替代、电磁阀驱动等中频(<100 kHz)开关场合提供可靠隔离与高效通断; ✅ 照明系统:作为高亮度LED恒流驱动电路中的PWM调光开关器件; ✅ 逆变器与UPS:在小功率离线式逆变器中承担DC-AC转换主开关角色(需配合驱动与保护电路)。 注意:该器件为单个独立MOSFET(非半桥/双管集成),设计时需外置栅极驱动电阻、TVS钳位及RC缓冲网络以抑制电压尖峰与EMI。不适用于高频谐振(如LLC)或大电流同步整流场景(受限于导通电阻与封装热阻)。 综上,NTP6N60 以高耐压、良好性价比和成熟可靠性,适用于对成本敏感、中等功率(约50–300 W)、中低频开关要求的工业与消费类电源及控制应用。