| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP60N06LG由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP60N06LG价格参考。ON SemiconductorNTP60N06LG封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTP60N06LG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTP60N06LG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTP60N06LG 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220封装,具有60V耐压、60A连续漏极电流(Tc=25℃)、典型导通电阻Rds(on)低至12mΩ(Vgs=10V),具备快速开关特性与良好的热稳定性。 其典型应用场景包括: ✅ DC-DC电源转换:广泛用于中大功率开关电源(如服务器电源、工业电源)的同步整流或主开关管; ✅ 电机驱动:适用于中小功率直流电机、步进电机及风扇驱动电路,支持PWM调速控制; ✅ 电池管理系统(BMS):用作充放电保护中的主控开关或负载开关,配合保护IC实现过流/短路保护; ✅ LED照明驱动:在高亮度LED恒流驱动电路中作为调光开关或主功率开关; ✅ 逆变器与UPS系统:在低压(≤48V输入)离线式逆变模块中承担高频开关功能; ✅ 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(注:NTP60N06LG为工业级,非车规;若需车规应用,应选用安森美同系列车规型号如NVTSx系列),但常用于车载充电器、座椅调节、车灯控制等非安全关键场景。 该器件具备低栅极电荷(Qg≈65nC)和强雪崩耐量,利于提升系统效率与可靠性。设计时建议搭配合适栅极驱动与散热措施(如加装散热片),以充分发挥其性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 60A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTP60N06LG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3075pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 65nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 16 毫欧 @ 30A,5V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | NTP60N06LGOS |
| 功率-最大值 | 2.4W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Ta) |