Datasheet下载- 型号： NTP27N06G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP27N06G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP27N06G价格参考。ON SemiconductorNTP27N06G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTP27N06G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTP27N06G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTP27N06G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-220封装，具有60V漏源电压（VDS）、27A连续漏极电流（ID，TC=25°C）及典型导通电阻RDS(on)低至0.045Ω（VGS=10V），具备快速开关特性与良好的热稳定性。 该器件主要应用于中等功率、高效率的直流控制与电源转换场景，典型用途包括： ✅ 开关电源（SMPS）中的同步整流或主开关管（如AC-DC适配器、PC电源副边开关）； ✅ 电机驱动电路（如直流有刷电机调速、小型风扇/泵的H桥或单路驱动）； ✅ 电池管理系统（BMS）中的充放电保护开关、负载开关或反向电流阻断； ✅ LED照明驱动（恒流源开关、调光控制）； ✅ 工业控制中的继电器替代方案（如PLC输出模块、电磁阀/加热器驱动）； ✅ 汽车电子辅助系统（如车身控制模块BCM中的灯光、车窗、座椅调节等12V负载开关，符合AEC-Q101可靠性标准前需确认具体批次资质——注：NTP27N06G为工业级，非原厂汽车级，实际车规应用需选用对应AEC-Q101认证型号如NVTS系列）。 其低RDS(on)与成熟封装便于散热，适合对成本、效率和可靠性有均衡要求的通用功率开关场合。设计时需注意栅极驱动电压（推荐10V以确保充分导通）、PCB布局散热及过压/雪崩耐量（额定UIS能量为125mJ）保护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 27A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTP27N06G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1015pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 30nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 46 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | NTP27N06GOS |
| 功率-最大值 | 88.2W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 27A （Ta） |
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