Datasheet下载- 型号： NTP22N06L
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP22N06L由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP22N06L价格参考。ON SemiconductorNTP22N06L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTP22N06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTP22N06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTP22N06L 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型垂直DMOS功率MOSFET，采用TO-220封装。其典型参数包括：VDS = 60 V、ID（连续）= 22 A、RDS(on) ≈ 0.055 Ω（VGS = 10 V），具备低导通电阻、快速开关特性及良好的热稳定性。 该器件主要适用于中等功率、中低压直流开关应用，常见场景包括： ✅ DC-DC电源转换：如降压（Buck）转换器、电源适配器中的主开关管； ✅ 电机控制：小型直流电机（如风扇、电动工具、办公设备）的H桥或单路驱动； ✅ 负载开关与电源管理：电子保险丝、热插拔电路、电池供电系统的电源通断控制； ✅ 照明驱动：LED恒流驱动电路中的PWM调光开关； ✅ 工业控制：PLC输出模块、继电器替代、电磁阀/螺线管驱动等。 其逻辑电平兼容性（VGS(th)约2–4 V）支持直接由MCU或驱动IC（如5 V TTL/CMOS）驱动，简化外围电路设计；TO-220封装便于散热，适合自然冷却或加装小型散热片的应用环境。 注意：实际使用中需确保栅极驱动稳定、避免电压尖峰，并合理设计PCB布局以抑制寄生振荡，推荐配合TVS二极管和栅极电阻优化EMI与可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 22A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTP22N06L |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 11A，5V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | NTP22N06LOS |
| 功率-最大值 | 60W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Ta） |
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