Datasheet下载- 型号： NTP18N06L
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTP18N06L由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTP18N06L价格参考。ON SemiconductorNTP18N06L封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTP18N06L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTP18N06L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTP18N06L 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用TO-220封装。其典型参数包括：VDS = 60V、ID（连续）= 18A、RDS(on) ≈ 45mΩ（VGS = 10V），支持低至4.5V的逻辑电平驱动，具备快速开关特性与内置体二极管。 该器件广泛应用于中功率开关场景，尤其适合需高效、可靠、低成本控制的场合。典型应用包括： ✅ DC-DC电源转换：如降压（Buck）变换器中的同步整流或主开关管，适用于工业电源、通信设备电源模块； ✅ 电机驱动：用于中小功率直流电机（如风扇、泵、电动工具）的H桥或单路驱动电路，逻辑电平兼容微控制器（如STM32、Arduino）直接驱动； ✅ 负载开关与电源管理：作为板级电源通断控制（如USB供电保护、热插拔电路）、电池供电系统中的充放电路径管理； ✅ 照明控制：LED驱动电路中作PWM调光开关，支持高频调光且导通损耗低； ✅ 逆变器与UPS系统：在小功率离网逆变器中用作输出级开关元件。 其TO-220封装便于散热与手工焊接，配合合理PCB布局和散热片可满足持续10–15A工作需求。需注意：实际应用中建议添加栅极电阻（10–100Ω）抑制振荡，并确保VGS不超过±20V，避免静电损伤。综上，NTP18N06L是工业控制、消费电子及电源设计中兼顾性能与易用性的成熟选型。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 15A TO220AB |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTP18N06L |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 7.5A，5V |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | NTP18N06LOS |
| 功率-最大值 | 48.4W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 15A （Tc） |
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