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  • 型号: NTMS4N01R2
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4N01R2由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4N01R2价格参考。ON SemiconductorNTMS4N01R2封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTMS4N01R2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTMS4N01R2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMS4N01R2 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款N沟道增强型功率MOSFET,采用SO-8封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅19mΩ @ Vgs=10V)、额定漏源电压Vds=100V、连续漏极电流Id=4.5A(Tc=25℃),具备快速开关特性和良好的热稳定性。

该器件主要适用于中低压、中等功率的开关与电源管理场景,典型应用包括:  
- DC-DC转换器:如Buck、Boost拓扑中的同步整流或高边/低边开关,尤其适合12V–48V输入系统;  
- 电机驱动电路:用于小型直流电机、步进电机的H桥驱动或PWM调速控制(如打印机、办公设备、家电风扇等);  
- 负载开关与电源路径管理:在便携式设备、工业控制模块中实现电源上电时序控制、过流保护及热插拔功能;  
- LED驱动电源:作为恒流调节开关,配合控制器实现高效LED调光与供电;  
- 电池管理系统(BMS):用于电池充放电回路的保护开关或均衡控制开关。

其SO-8封装便于PCB布局与散热设计,配合较低的栅极电荷(Qg≈10nC),有助于提升系统效率与开关频率。需注意:实际应用中应合理设计驱动电路(确保Vgs≥10V以充分导通),并加强PCB铜箔散热或加装小型散热片以保障长期可靠性。
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