Datasheet下载- 型号： NTMS4935NR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4935NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4935NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS4935NR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS4935NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS4935NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMS4935NR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=60A连续，脉冲达240A）及优化的开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器，提升效率并降低温升； 2. 负载开关与电源管理：在主板、显卡、嵌入式系统中用作高效、快速响应的电源通断控制（如GPU供电轨、USB PD接口保护）； 3. 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机或步进电机的H桥驱动下臂开关，兼顾导通损耗与开关速度； 4. 电池管理系统（BMS）：作为充放电路径的主控MOSFET，支持大电流、低损耗通断； 5. LED驱动与照明电源：在高效率恒流驱动电路中承担PWM调光开关功能。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、强雪崩耐受能力及符合RoHS/无卤素要求，适合高可靠性、高功率密度的工业与消费类电子应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMS4935NR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3639pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 52.1nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.1 毫欧 @ 7.5A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 810mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Ta） |
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