Datasheet下载- 型号： NTMS4705NR2G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4705NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4705NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS4705NR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMS4705NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS4705NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMS4705NR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 22 mΩ @ VGS = 10 V）、高阈值电压（VGS(th) 典型值2.5 V）、额定漏源电压VDS = 30 V、连续漏极电流ID = 9.5 A（TC = 25°C），具备良好的热稳定性和开关性能。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于便携式设备、主板VRM模块及负载点（POL）电源； ✅ 电池供电系统：如智能手机、平板电脑、TWS耳机等终端设备中的电池保护电路、充电路径管理及负载开关； ✅ 电机驱动与LED驱动：适用于小型直流电机（如风扇、振动马达）的H桥或单路驱动，以及中低功率LED背光/照明的PWM调光控制； ✅ 电源管理IC外围开关：配合PMIC或控制器实现高效、紧凑的电源时序控制与过流保护； ✅ 工业与消费类嵌入式系统：如智能电表、IoT传感器节点、打印机电源模块等对效率、尺寸和可靠性有要求的场景。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容3.3 V/5 V MCU GPIO），SO-8封装便于PCB布局与散热设计，兼具成本效益与成熟可靠性，广泛用于中低功率、高频开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7.4A 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMS4705NR2G |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1078pF @ 24V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10 毫欧 @ 12A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMS4705NR2GOSCT |
| 功率-最大值 | 850mW |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 7.4A （Ta） |
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