【未分类_NTMS4704NR2G】封装/厂家_NTMS4704NR2G中文资料_价格

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型号： NTMS4704NR2G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTMS4704NR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMS4704NR2G价格参考。ON SemiconductorNTMS4704NR2G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NTMS4704NR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMS4704NR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTMS4704NR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅15 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID最大达9.5A）、快速开关特性及优良的热性能。其典型应用场景包括：

• DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、平板、机顶盒等便携/嵌入式设备的板载电源管理；  
• 负载开关与电源路径管理：在USB供电、电池充电电路中用作高效、低损耗的电源通断控制开关；  
• 电机驱动：适用于小功率直流电机（如风扇、小型泵）的H桥或单路驱动中的功率开关；  
• LED驱动与背光控制：作为恒流源开关或PWM调光开关，支持高效率、低发热运行；  
• 工业与消费类电源模块：如适配器次级侧同步整流、LED驱动器、智能电表电源等对能效和尺寸有要求的场合。

该器件具备100%通过雪崩能量测试（UIS），具备良好的鲁棒性；SO-8封装兼容标准PCB布局，便于自动化贴装与散热设计。需注意其栅极阈值电压（Vgs(th) 1–2.5V）适合3.3V/5V逻辑驱动，但推荐使用≥4.5V Vgs以确保充分导通并降低导通损耗。

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