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产品简介:
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NTMFS4849NT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的高性能 N 沟道功率 MOSFET,采用 5mm × 6mm SO-8FL(PowerTrench® 封装),具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 1.7mΩ @ VGS = 10V)、高电流能力(ID 高达 100A)及优异的开关性能。其主要应用场景包括: 1. DC-DC 电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器,提升效率并降低温升; 2. 负载开关与热插拔电路:凭借快速开关特性和低导通压降,适用于主板/背板上的电源管理模块,实现过流保护与软启动; 3. 电机驱动:用于中小功率 BLDC 电机控制器的H桥下管或单向驱动,支持高频PWM调制; 4. 电池管理系统(BMS):在电池保护板中作充放电主控开关,配合保护IC实现短路/过流快速关断; 5. LED 驱动与固态继电器:作为高效恒流开关元件,适用于高可靠性照明系统。 该器件支持 20V 栅极驱动(±20V耐压),具备强抗雪崩能力与AEC-Q101认证(部分批次),亦适用于严苛工况下的车载辅助电源系统(如ADAS供电模块)。其紧凑封装和低热阻特性,特别适合空间受限且对能效要求高的中大功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.2A SO-8FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NTMFS4849NT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2040pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 22nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.1 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
| 功率-最大值 | 870mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
| 标准包装 | 1,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.2A (Ta), 71A (Tc) |