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产品简介:
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NTMFS4744NT1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的高性能N沟道增强型功率MOSFET,采用SO-8FL(PowerTDFN)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅2.9 mΩ @ Vgs=10V)、高电流能力(ID可达100A)及优异的热性能。其主要应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流BUCK转换器,提升效率并降低温升; - 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、GPU供电、PCIe插槽等场景中用作高效、快速响应的主/辅助电源开关; - 电机驱动:适用于中小功率BLDC电机控制中的H桥上/下臂开关(尤其适配12V–24V系统); - 电池管理系统(BMS):用于智能电池包的充放电保护回路,支持大电流双向切换与过流快速关断; - LED照明驱动:在高亮度LED恒流驱动电路中作为PWM调光开关,兼顾效率与EMI性能。 该器件具备雪崩耐量(UIS rated)、100% Rg测试及符合AEC-Q101(部分批次)可靠性标准,亦可用于严苛工况下的工业与汽车电子(如车载信息娱乐电源)。其小尺寸、低Qg(典型10.5nC)特性特别适合高密度、高频(可达1MHz)开关设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 7A SO8 FL |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NTMFS4744NT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 7.6 毫欧 @ 30A,10V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN,8-SO 扁平引线(5x6) |
| 其它名称 | NTMFS4744NT1GOSCT |
| 功率-最大值 | 880mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-TDFN 裸焊盘(5 根引线) |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7A (Ta) |