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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTMD2C02R2SG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD2C02R2SG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD2C02R2SG价格参考。ON SemiconductorNTMD2C02R2SG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMD2C02R2SG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD2C02R2SG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD2C02R2SG 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅14mΩ @ Vgs=10V）、高开关速度及良好的热稳定性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：常用于同步降压（Buck）转换器的高/低端开关，提升效率（尤其在负载点POL电源中），适用于通信设备、服务器主板及工业电源模块。 2. 负载开关与电源管理：集成双MOSFET结构便于实现双路独立或并联供电控制，如USB接口过流保护、电池备份切换、FPGA/CPU核心电压动态调节等。 3. 电机驱动：适用于小型直流有刷电机或步进电机的H桥驱动（需外置驱动电路），常见于打印机、POS终端、智能家电等低功耗电机控制系统。 4. LED背光与照明驱动：作为PWM调光开关，驱动多路LED串，支持高频率开关（>1MHz），减少EMI并提升调光精度。 5. 热插拔与浪涌保护电路：配合限流检测电路，实现板卡热插拔时的缓启动与短路保护功能。 该器件工作结温范围宽（–55°C 至 +150°C），具备ESD防护能力（HBM 2kV），适合空间受限且对可靠性要求较高的工业与消费类电子应用。注意设计时需优化PCB散热焊盘及栅极驱动阻抗，以发挥其高频低损耗优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N/P-CH COMPL 20V 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMD2C02R2SG |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A，3.4A |
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