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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTMD2C02R2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTMD2C02R2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTMD2C02R2G价格参考。ON SemiconductorNTMD2C02R2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTMD2C02R2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTMD2C02R2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTMD2C02R2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道N沟道增强型MOSFET阵列，采用SO-8封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅18 mΩ @ Vgs=10V）、逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.5V）、高开关速度及良好的热稳定性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：常用于同步降压转换器（Buck Converter）的上下管配置，提升效率并减小尺寸，适用于笔记本电脑、平板、通信设备等便携式电源模块； 2. 负载开关与电源管理：在多路供电系统中实现高效、快速的电源通断控制（如USB端口保护、电池备份切换）； 3. 电机驱动电路：适用于小型直流电机或步进电机的H桥驱动（需外置驱动逻辑），常见于打印机、扫描仪、智能家电等低功率驱动场景； 4. LED背光/照明驱动：作为PWM调光开关，控制LED电流通断，支持高频率调光且功耗低； 5. 工业与消费类接口保护：用于I/O端口ESD防护后的后级开关，或热插拔电路中的限流/缓启控制。 该器件集成双MOSFET结构，节省PCB面积，简化设计，配合内置体二极管，支持续流功能。适用于工作温度范围–55°C至+150°C的严苛环境，广泛应用于高能效、小体积、中低功率（<2A连续电流）的嵌入式系统与电源管理领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR N/P-CH DUAL 20V 8SOIC |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | N 和 P 沟道 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTMD2C02R2G |
| PCN设计/规格 | |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 43 毫欧 @ 4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC N |
| 其它名称 | NTMD2C02R2GOS |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.2A，3.4A |
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