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产品简介:
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NTLUS4195PZTBG 是安森美(ON Semiconductor)推出的P沟道增强型MOSFET,采用超小型无铅封装(X1-DFN1006-3),具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅180mΩ @ Vgs = –4.5V)、低栅极电荷(Qg ≈ 2.1nC)和快速开关特性。其额定电压为–20V,连续漏极电流达–1.8A(@ TA=25°C),适用于空间受限、低功耗的便携式电子设备。 主要应用场景包括: 1. 电池供电设备的电源管理:如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路,利用其低静态电流与快速关断能力实现高效充放电控制; 2. DC-DC转换器同步整流:在降压(Buck)或升降压(Buck-Boost)拓扑中作为同步整流管,提升转换效率; 3. LED驱动与背光控制:用于中小功率LED的PWM调光开关,响应快、发热低; 4. USB端口/Type-C接口过流/反向电流保护:配合控制器实现反向电流阻断与热插拔保护; 5. 逻辑电平兼容的低压侧开关:支持1.8V–4.5V逻辑驱动,适用于MCU或FPGA直接控制的低电压系统。 该器件凭借小尺寸(0.6mm × 1.0mm)、高可靠性及AEC-Q200兼容性(部分批次),亦适用于汽车电子中的车身控制模块(如车灯控制、传感器电源开关)等严苛环境。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 3A SGL 6UDFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | NTLUS4195PZTBG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 90 毫欧 @ 3A,10V |
| 供应商器件封装 | 6-UDFN(1.6x1.6) |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |