Datasheet下载- 型号： NTLUS3192PZTBG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLUS3192PZTBG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLUS3192PZTBG价格参考。ON SemiconductorNTLUS3192PZTBG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLUS3192PZTBG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLUS3192PZTBG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLUS3192PZTBG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型UWB封装（0.6×0.3mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为145mΩ @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9nC）和低阈值电压（VGS(th)：−0.5V至−1.2V），支持1.8V逻辑电平驱动。 其主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关或电池保护电路，利用其超小尺寸与低功耗特性节省PCB空间； ✅ 高效率DC-DC转换器的同步整流/侧边开关：在降压（Buck）或反相（Inverting）拓扑中作为低压侧或反向通路开关； ✅ USB接口/Type-C端口的过压/反向电流保护：配合控制器实现快速关断，防止电池反灌或外部异常电压倒灌； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的PWM调光开关，响应快、发热低； ✅ IoT传感器节点与可穿戴设备的待机电源管理：凭借纳安级关断电流（IDSS < 100nA）和低静态功耗，延长电池寿命。 该器件工作结温范围为−55°C至+150°C，符合AEC-Q200可靠性标准（部分批次），亦适用于工业及汽车电子辅助模块（如车身控制中的小信号负载开关）。需注意其最大VDS为−20V，连续漏极电流ID仅为−470mA（Ta=25°C），故适用于中低功率、高集成度场景，不适用于大电流主电源开关。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 3.4A SGL 6UDFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLUS3192PZTBG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 86 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-UDFN（1.6x1.6） |
| 功率-最大值 | 600mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-UFDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
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