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- 型号： NTLTD7900ZR2G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLTD7900ZR2G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLTD7900ZR2G价格参考。ON SemiconductorNTLTD7900ZR2G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLTD7900ZR2G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLTD7900ZR2G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLTD7900ZR2G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道、逻辑电平、N沟道增强型MOSFET阵列（采用微型DFN6 2×2 mm封装），内置两个匹配的MOSFET，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅28 mΩ @ Vgs=4.5V）、快速开关特性及ESD保护。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池充放电路径控制或背光LED驱动； ✅ DC-DC同步整流：在降压（Buck）转换器中作为下管（low-side switch），提升转换效率； ✅ H桥电机驱动：配合外部驱动电路，用于小型直流有刷电机（如摄像头对焦马达、微型风扇）的正反转与PWM调速； ✅ 热插拔/电源排序电路：利用其低阈值电压（Vgs(th) 0.5–1.2V）和快速响应特性，实现受控上电与过流保护； ✅ LED驱动与RGB混光控制：双通道独立控制多路LED串，适用于可穿戴设备指示灯或环境光调节模块。 该器件集成度高、尺寸紧凑、功耗低，特别适合空间受限、强调能效与可靠性的电池供电系统。注意设计时需合理布局散热路径，并确保栅极驱动满足逻辑电平兼容性（支持1.8V–4.5V MCU直接驱动）。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET PWR N-CHAN 9A 20V 8MICRO |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NTLTD7900ZR2G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 15pF @ 16V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 26 毫欧 @ 6.5A，4.5V |
| 供应商器件封装 | Micro8™ |
| 其它名称 | NTLTD7900ZR2GOSCT |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6A |
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