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- 型号： NTLJS3A18PZTWG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJS3A18PZTWG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJS3A18PZTWG价格参考。ON SemiconductorNTLJS3A18PZTWG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJS3A18PZTWG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJS3A18PZTWG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJS3A18PZTWG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用超小型无铅TSOP-6封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.5 nC）和快速开关特性。其额定电压为−20 V，连续漏极电流达−3.5 A（TS = 25°C），适合低压、中等电流的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、电池保护电路及USB端口过流/反向保护； ✅ DC-DC转换器：作为同步整流管或高边/低边开关，用于升压（Boost）、降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑，提升转换效率； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小尺寸LCD/OLED显示屏的LED背光调光与使能控制； ✅ 电机驱动：适用于微型直流电机（如振动马达、风扇）的H桥或单路PWM驱动； ✅ 热插拔与电源排序电路：利用其快速关断能力实现板级电源上电时序控制与浪涌电流抑制。 该器件具备ESD保护（HBM ≥ 2 kV），工作结温范围宽（−55°C ~ +150°C），且TSOP-6封装支持高密度PCB布局，特别适配空间受限、强调能效与可靠性的电池供电系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 8.4A WDFN6 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | NTLJS3A18PZTWG |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2240pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 28nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 18 毫欧 @ 7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | * |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | * |
| 安装类型 | * |
| 封装/外壳 | * |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5A （Ta） |
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