Datasheet下载- 型号： NTLJS2103PTAG
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJS2103PTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJS2103PTAG价格参考。ON SemiconductorNTLJS2103PTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJS2103PTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJS2103PTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJS2103PTAG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用超小型无铅DFN1006-3（0402）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅190 mΩ @ Vgs = –4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 0.9 nC）和低阈值电压（Vgs(th)：–0.5 V至–1.2 V），支持低压逻辑电平驱动。 其主要应用场景包括： ✅ 便携式电子设备的负载开关：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的电源管理模块，用于控制外设供电通断，实现低功耗待机与快速启停； ✅ 电池保护电路：在单节锂离子/锂聚合物电池应用中，作为充电/放电路径的反向阻断或过流保护开关； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器的高边或低边辅助开关中提升轻载效率（需配合控制器使用）； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小电流LED的PWM调光开关，响应快、功耗低； ✅ IoT传感器节点电源管理：在超低功耗MCU系统中，配合使能信号控制子模块供电，延长电池寿命。 该器件因尺寸微小（1.0 mm × 0.6 mm）、热性能优（θJA ≈ 270°C/W）、ESD防护达HBM ±2 kV，特别适合空间受限、对能效与可靠性要求高的微型化终端产品。注意：实际设计中需关注PCB散热、栅极驱动稳定性及SOA（安全工作区）限制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 3.5A 6-WDFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，1.2V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJS2103PTAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1157pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.5A （Ta） |
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