Datasheet下载- 型号： NTLJD3182FZTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD3182FZTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD3182FZTAG价格参考。ON SemiconductorNTLJD3182FZTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJD3182FZTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJD3182FZTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJD3182FZTAG 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用微型无铅DFN6（2×2 mm）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅90 mΩ @ Vgs = –4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 4.5 nC）和快速开关特性。其额定电压为–20 V，连续漏极电流达–3.5 A（Tc = 25°C），适合低压、高效率、空间受限的便携式电源管理场景。 典型应用场景包括： ✅ 负载开关（Load Switch）：用于USB供电路径管理、电池供电设备的电源启停控制，利用其低Rds(on)和逻辑电平兼容性（Vgs(th)约–0.7 V至–1.3 V），可由1.8 V/3.3 V MCU直接驱动； ✅ 电源反向保护（Reverse Voltage Protection）：在电池输入端串联使用，防止电池反接损坏后级电路； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为同步整流管，提升轻载效率； ✅ 手持设备与IoT终端：如蓝牙耳机、智能手表、无线传感器节点等，得益于小尺寸封装与低功耗特性； ✅ LED驱动与背光控制：用于PWM调光中的高端或低端开关，响应快、发热低。 该器件符合AEC-Q101（汽车级）标准（ZTAG后缀代表符合此规范），亦适用于车载信息娱乐系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的工业及汽车电子应用。需注意其为P沟道，通常用于高边开关配置，设计时应合理匹配驱动电压与PCB热设计。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJD3182FZTAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A （Ta） |
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