Datasheet下载- 型号： NTLJD3181PZTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD3181PZTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD3181PZTAG价格参考。ON SemiconductorNTLJD3181PZTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJD3181PZTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJD3181PZTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJD3181PZTAG 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用微型DFN2020-6封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为95mΩ @ Vgs = −4.5V）、小尺寸、高集成度及逻辑电平驱动能力（支持−1.8V阈值电压）。其典型应用场景包括： • 便携式电子设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电池保护电路，利用其双P-MOSFET结构实现正向/反向电源路径控制或电池充放电隔离。 • DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）转换器中作为同步整流管（尤其适用于低占空比、高效率场景），提升转换效率并减小热耗散。 • 热插拔与电源排序电路：双MOSFET可分别控制不同供电轨的上电时序或故障隔离，满足多电压系统（如SoC+I/O供电）的可靠启动需求。 • LED背光/RGB驱动：用于中小功率LED的电流开关控制，配合PWM调光，得益于其快速开关特性（典型tON/tOFF < 10ns）和低栅极电荷。 • 工业与IoT传感器节点：在空间受限的电池供电节点中，替代分立MOSFET方案，简化PCB布局，降低BOM成本与装配复杂度。 该器件不适用于高压（>20V）或大电流（连续ID > 1.5A）场景，设计时需注意散热与栅极驱动稳定性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 20V 4A 6WDFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJD3181PZTAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 100 毫欧 @ 2A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 710mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.2A |
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