Datasheet下载- 型号： NTLJD2104PTAG
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLJD2104PTAG由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLJD2104PTAG价格参考。ON SemiconductorNTLJD2104PTAG封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLJD2104PTAG参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLJD2104PTAG 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLJD2104PTAG 是安森美（ON Semiconductor）推出的双通道P沟道增强型MOSFET阵列，采用微型DFN2020-6（2.0×2.0 mm）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅85 mΩ @ VGS = –4.5 V）、低栅极电荷和逻辑电平驱动能力（VGS(th)范围–0.5 V至–1.5 V），支持3.3 V/5 V MCU直接控制。 其典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关与电源路径管理，利用双P-MOSFET实现高效反向电流阻断与电池供电切换； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）电路中作为高侧/低侧同步整流管（需配合驱动设计），提升轻载效率； ✅ 热插拔与USB Type-C接口保护：集成双路独立控制，适用于USB PD协议中VBUS的过流/短路保护及正负向隔离； ✅ LED背光/RGB驱动：驱动中小功率LED串，利用低导通压降减少发热，支持PWM调光； ✅ 工业IoT节点与传感器模块：用于低功耗微控制器（如ARM Cortex-M系列）控制的外设电源使能（Power Enable）与隔离，节省PCB面积并简化BOM。 该器件具备ESD防护（HBM ±2 kV），工作结温范围–55°C至+150°C，适合空间受限、强调能效与可靠性的中低功率（<1 A连续电流）应用。注意：因是双P沟道结构，不适用于高侧N-MOSFET所需的自举驱动场景。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH DUAL 12V 4.3A 6WDFN |
| 产品分类 | FET - 阵列 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLJD2104PTAG |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 800mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 467pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-WDFN（2x2） |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.4A |
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