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- 型号： NTLGF3501NT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTLGF3501NT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTLGF3501NT1G价格参考。ON SemiconductorNTLGF3501NT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTLGF3501NT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTLGF3501NT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTLGF3501NT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型MOSFET，采用SOT-723超小型封装（尺寸仅1.2×0.8×0.5mm），具有低导通电阻（Rds(on)典型值为95mΩ @ VGS = −4.5V）、低栅极电荷（Qg ≈ 2.3nC）和低阈值电压（Vth = −0.5V至−1.2V），适合低功耗、高密度便携式设计。 其主要应用场景包括： 1. 电池供电设备的电源管理：如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备中的负载开关或电池保护电路，利用其低静态电流和快速开关特性实现高效启停控制； 2. DC-DC转换器的同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为同步整流管，提升轻载效率； 3. LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的阴极侧调光开关，支持PWM调光； 4. 接口/IO端口保护：在USB、I²C等信号线中作反向电流阻断或ESD钳位辅助开关； 5. 空间受限的嵌入式系统：如IoT传感器节点、微型模块电源中替代传统SOT-23器件，节省PCB面积。 该器件额定电压−20V、连续漏极电流−680mA（Ta=25°C），不适用于大电流或高压主功率开关，但凭借小尺寸、低功耗与高可靠性，是消费电子及便携设备中理想的小信号功率开关器件。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 2.8A 6-DFN |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTLGF3501NT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | FETKY™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 275pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 10nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 90 毫欧 @ 3.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-DFN（3x3） |
| 功率-最大值 | 1.14W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-VDFN 裸露焊盘 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Ta） |
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