图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTJS4405NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTJS4405NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTJS4405NT4G价格参考。ON SemiconductorNTJS4405NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTJS4405NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTJS4405NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ONS品牌下的NTJS4405NT4G（实为ON Semiconductor原厂型号，ONS可能是误标或贴牌）是一款P沟道增强型MOSFET，采用SOT-723封装（超小型表面贴装），VDS = –20 V，ID = –660 mA（连续），RDS(on)典型值仅0.45 Ω（VGS = –4.5 V），具备低导通电阻、快速开关特性及ESD保护。 主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关，用于控制USB接口、传感器、LED背光等外围模块的供电通断，实现低功耗待机与快速唤醒； 2. 电池供电系统保护电路：在锂电池供电路径中作为反向电流阻断开关（Reverse Current Blocking），防止关机时电池通过其他通路放电； 3. 高密度PCB空间受限场景：得益于SOT-723微型封装（尺寸约1.2×0.8×0.5 mm），适用于TWS耳机充电仓、可穿戴设备主板等对体积和布板密度要求严苛的设计； 4. 逻辑电平驱动接口：兼容1.8 V/3.3 V MCU GPIO直接驱动（VGS(th)典型–0.9 V），无需额外电平转换或驱动电路，简化设计。 注意：该器件不适用于大电流或高压主电源开关，典型工作电流建议≤500 mA，需配合合理PCB散热设计。实际选型请以ON Semi官方数据手册（DS75675/D）为准。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 1A SOT-363 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTJS4405NT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 1.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 350 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 供应商器件封装 | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
| 功率-最大值 | 630mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 标准包装 | 10,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 1A （Ta） |
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