Datasheet下载- 型号： NTHD2110TT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTHD2110TT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTHD2110TT1G价格参考。ON SemiconductorNTHD2110TT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTHD2110TT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTHD2110TT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTHD2110TT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的双N沟道增强型MOSFET（采用SOT-723封装，即超小型DFN1006封装），具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅约180 mΩ @ Vgs=4.5V）、低栅极电荷、快速开关特性及高集成度。其主要应用场景包括： 1. 便携式电子设备电源管理：如智能手机、TWS耳机、智能手表中的负载开关、LED背光驱动或USB端口保护电路，得益于其微小尺寸和低功耗特性。 2. DC-DC转换器与同步整流：在微型降压（Buck）转换器中作为同步整流开关，提升转换效率并减小PCB面积，适用于空间受限的IoT传感器节点或可穿戴设备电源模块。 3. 电池保护与充放电控制：用于单节锂离子/聚合物电池的充放电路径管理，配合保护IC实现过流、反向电流阻断等功能。 4. 信号切换与逻辑电平转换：凭借低阈值电压（Vgs(th)典型值0.9V）和高速开关能力，适用于低压数字接口的信号选通或电平位移电路。 该器件工作结温范围宽（–55°C 至 +150°C），具备ESD防护能力（HBM 2kV），适合高可靠性、小体积、高能效的消费类及工业边缘设备应用。注意其为双通道共源结构，设计时需合理布局以避免串扰。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 4.5A CHIPFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTHD2110TT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 850mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1072pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 6.4A，4.5V |
| 供应商器件封装 | ChipFET™ |
| 功率-最大值 | 1.1W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SMD，扁平引线 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.5A （Ta） |
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