图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTGS3447PT1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTGS3447PT1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGS3447PT1G价格参考。ON SemiconductorNTGS3447PT1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTGS3447PT1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTGS3447PT1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTGS3447PT1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的P沟道增强型功率MOSFET，采用超小型TSOP-6封装（2.0 mm × 2.1 mm），具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 45 mΩ @ VGS = −4.5 V）、低栅极电荷（Qg ≈ 5.5 nC）和快速开关特性。其额定电压为−30 V，连续漏极电流达−3.5 A（TS = 25°C），适合低压、中等电流的高效开关应用。 典型应用场景包括： ✅ 便携式电子设备电源管理：如智能手机、平板电脑、TWS耳机中的负载开关或电池保护电路，利用其低RDS(on)减小压降与功耗； ✅ DC-DC转换器同步整流：在降压（Buck）或升降压（Buck-Boost）拓扑中作为同步整流管，提升转换效率； ✅ LED驱动与背光控制：用于中小功率LED的PWM调光开关，响应快、驱动简单； ✅ H桥/电机驱动模块：常与N沟道MOSFET搭配构成半桥，驱动微型直流电机或振动马达（如手机触觉反馈）； ✅ 热插拔与电源排序电路：凭借低阈值电压（VGS(th) ≈ −1.0 to −2.2 V）和小封装，适用于空间受限的板级电源时序控制与过流保护。 该器件支持逻辑电平驱动（兼容1.8 V/3.3 V MCU GPIO），无需额外电平转换，显著简化设计。TSOP-6封装利于高密度PCB布局，适用于对尺寸与能效敏感的消费类及工业嵌入式系统。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 3.4A 6-TSOP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTGS3447PT1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1053pF @ 6V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 15nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 40 毫欧 @ 4.7A，4.5V |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-74，SOT-457 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 3.4A （Ta） |
推荐商品
热门文章
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
NTGS3447PT1G 相关产品
猜你喜欢
最新产品推荐
其他制造商