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  • 型号: NTGS3433T1
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTGS3433T1由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTGS3433T1价格参考。ON SemiconductorNTGS3433T1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTGS3433T1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTGS3433T1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTGS3433T1 是安森美(ON Semiconductor)推出的一款P沟道增强型MOSFET,采用SOT-23封装,具有低导通电阻(RDS(on) ≈ 85 mΩ @ VGS = −4.5 V)、低栅极电荷(Qg ≈ 4.5 nC)及快速开关特性。其额定电压为−30 V,连续漏极电流为−2.9 A(TA = 25°C),适合低压、中低功率应用。

典型应用场景包括:  
✅ 负载开关:常用于便携式设备(如智能手机、TWS耳机、可穿戴设备)中的电源管理模块,实现电池供电路径的高效启停与反向电流阻断;  
✅ 电源管理IC的配套器件:在DC-DC转换器(如降压Buck电路)中作为同步整流或高边/低边开关,提升转换效率;  
✅ LED驱动与背光控制:用于中小尺寸LCD/OLED显示屏的LED背光调光与过流保护;  
✅ 电池保护电路:配合保护IC实现充放电回路的过流/短路保护(如移动电源、电动工具电池包);  
✅ 接口/IO端口保护:在USB、I²C等信号线中提供ESD防护与电平转换辅助功能(需配合外围设计)。

其小尺寸SOT-23封装和低功耗特性,特别适用于空间受限、对能效敏感的电池供电系统。注意:实际使用时需确保VGS负压足够(推荐≤−4.5 V)以充分导通,并合理设计PCB散热与驱动电路。
产品参数 图文手册 常见问题
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