Datasheet下载- 型号： NTDV3055L104T4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTDV3055L104T4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTDV3055L104T4G价格参考。ON SemiconductorNTDV3055L104T4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTDV3055L104T4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTDV3055L104T4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTDV3055L104T4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用SOT-223封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值约35 mΩ @ Vgs=10V，45 mΩ @ Vgs=4.5V）、高电流能力（ID=3.5A连续，8A脉冲）及快速开关特性。其逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.5V）使其可直接由3.3V或5V微控制器IO口驱动，无需额外驱动电路。 典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），提升效率； ✅ 负载开关与电源管理：在便携设备、IoT终端中实现电池供电系统的智能通断控制（如USB供电开关、模块上电时序管理）； ✅ 电机驱动：适用于小功率直流有刷电机（如风扇、小型泵）的H桥低端驱动或单向PWM调速； ✅ LED驱动与背光控制：作为恒流源开关或PWM调光开关，支持中低功率LED照明； ✅ 工业控制接口：PLC数字输出模块、继电器替代方案，提供可靠、低功耗的固态开关功能。 该器件具备ESD保护（HBM 2kV）、无铅且符合RoHS标准，适用于空间受限、需高可靠性与能效比的消费电子、工业自动化及汽车电子（非安全关键系统，如车身控制模块）等场景。注意：不适用于高压（>40V）或大功率（>10W）连续导通工况，设计时需确保散热（PCB铜箔面积建议≥25mm²）。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 12A DPAKMOSFET NFET 60V 12A 0.104R |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 12 A |
| Id-连续漏极电流 | 12 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTDV3055L104T4G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTDV3055L104T4G |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 48 W |
| Pd-功率耗散 | 48 W |
| Qg-GateCharge | 20 nC |
| Qg-栅极电荷 | 20 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 104 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 104 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V |
| 上升时间 | 210 ns |
| 下降时间 | 80 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 440pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 104 毫欧 @ 6A，5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DPAK-3 |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 1.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 104 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 12 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
| 系列 | NTD3055L104 |
| 配置 | Single |
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