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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD80N02-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD80N02-1G价格参考。ON SemiconductorNTD80N02-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD80N02-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD80N02-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD80N02-1G 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款N沟道增强型MOSFET,具有低导通电阻、高电流承载能力和高开关速度的特点。该器件广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 其主要应用场景包括: 1. 电源管理:用于DC-DC转换器、同步整流器等,提高电源转换效率。 2. 电机控制:在电动工具、电动车、工业自动化设备中作为开关元件,控制电机的启停与转速。 3. 负载开关:用于电源分配系统中,实现对不同负载的快速通断控制。 4. 电池管理系统(BMS):在锂电池保护电路中用作充放电控制开关,保障电池安全。 5. 汽车电子:如车载充电器、起停系统、LED照明驱动等,满足汽车环境对可靠性和稳定性的高要求。 6. 工业控制:用于PLC、变频器、伺服驱动器等工业设备中,作为功率开关使用。 该MOSFET适用于高频率开关应用,具备良好的热稳定性和耐用性,适合在中高功率场合中使用。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 24V 80A IPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | ON Semiconductor |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | NTD80N02-1G |
PCN过时产品 | |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2600pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 42nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.8 毫欧 @ 80A,10V |
供应商器件封装 | I-Pak |
其它名称 | NTD80N02-1GOS |
功率-最大值 | 75W |
包装 | 管件 |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
标准包装 | 75 |
漏源极电压(Vdss) | 24V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 80A (Tc) |