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- 型号： NTD6600N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD6600N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD6600N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD6600N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD6600N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD6600N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD6600N-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值为28mΩ @ Vgs=10V）、额定电压60V、连续漏极电流达47A（Tc=25℃），具备良好的开关速度与热稳定性。 其典型应用场景包括： • DC-DC电源转换：广泛用于中等功率的同步整流BUCK转换器、POL（负载点）电源模块，提升转换效率； • 电机驱动：适用于小型直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动电路，承担高频率PWM开关任务； • 电源管理与保护电路：如电子保险丝（eFuse）、热插拔控制器、负载开关，利用其快速关断能力实现过流/短路保护； • LED照明驱动：在恒流LED驱动器中作为主开关管，支持调光控制； • 工业与消费类设备：如打印机、电动工具、UPS后备电源、智能电表等对可靠性与能效有要求的嵌入式系统。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th) 1–2.5V），可直接由MCU或驱动IC控制，简化外围设计；内置ESD防护及雪崩额定能力（EAS=130mJ），增强了系统鲁棒性。适用于需兼顾效率、尺寸与成本的中功率开关应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 12A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD6600N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 700pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 146 毫欧 @ 6A，5V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.28W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta） |
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