Datasheet下载- 型号： NTD60N02R-35G
- 制造商： ON Semiconductor
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD60N02R-35G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD60N02R-35G价格参考。ON SemiconductorNTD60N02R-35G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD60N02R-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD60N02R-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD60N02R-35G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有60V耐压、60A连续漏极电流（Tc=25℃）、典型导通电阻Rds(on)低至3.5mΩ（Vgs=10V），具备快速开关特性与良好的热稳定性。 其典型应用场景包括： ✅ DC-DC电源转换：广泛用于中大功率同步整流BUCK转换器、POL（负载点）模块及服务器/通信电源中的高效率降压电路； ✅ 电机驱动：适用于中小功率直流无刷电机（BLDC）或步进电机的H桥驱动下管，尤其在电动工具、风扇、家电控制板中承担主开关功能； ✅ 电池管理系统（BMS）：用作电池保护电路中的充放电控制开关，支持过流/短路保护的快速响应； ✅ LED照明驱动：在恒流LED驱动电源中作为PWM调光开关或主功率开关； ✅ 工业控制与电源适配器：如PLC输出模块、AC-DC副边同步整流、12–48V输入的通用开关电源等。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试，鲁棒性强；逻辑电平兼容（Vgs(th)典型值2.0V），可直接由MCU或驱动IC驱动，简化外围设计。需注意PCB布局时加强散热（建议大面积敷铜），并合理设计栅极驱动以抑制振铃和EMI。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 8.5A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD60N02R-35G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1330pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 14nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 10.5 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.25W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线，IPak |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.5A （Ta）， 32A （Tc） |
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