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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4969N-1G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4969N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4969N-1G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4969N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4969N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4969N-1G 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)封装,具有低导通电阻(Rds(on)典型值仅3.0 mΩ @ Vgs=10V)、高连续漏极电流(ID=115A)和优良的开关性能。其主要应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK变换器,提升效率并降低温升; - 电机驱动:适用于中小功率直流无刷电机(BLDC)或步进电机的H桥驱动电路,支持高频PWM控制; - 负载开关与热插拔保护:凭借低Rds(on)和快速开关特性,常用于主板/板卡的电源域隔离、USB供电管理及热插拔电路; - LED照明驱动:在中大功率LED恒流驱动方案中用作主开关器件; - 电池管理系统(BMS):用于电池充放电回路的保护开关或均衡开关。 该器件具备100V耐压、雪崩额定能力及符合RoHS标准,适合高可靠性、中高功率密度的工业与消费类电子应用。需注意合理设计PCB散热焊盘及栅极驱动(推荐10–15V驱动电压),以充分发挥其性能优势。