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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4906N-35G由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4906N-35G价格参考。ON SemiconductorNTD4906N-35G封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD4906N-35G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD4906N-35G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4906N-35G 是安森美(ON Semiconductor)推出的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-252(DPAK)封装,具有低导通电阻(RDS(on)典型值仅3.5 mΩ @ VGS=10V)、高电流能力(ID连续达75A)及优良的开关性能。其主要应用场景包括: - DC-DC电源转换:广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK转换器,提升效率并降低温升; - 电机驱动:适用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路(如风扇、泵、自动化执行器)中的H桥或单边开关; - 负载开关与电源管理:在笔记本电脑、嵌入式系统中用作电池保护、热插拔控制或主电源通断开关; - LED照明驱动:作为恒流源开关或PWM调光主控器件,支持高频率开关(典型ton/toff<20ns); - 汽车电子辅助系统:符合AEC-Q101可靠性标准(注:需确认具体批次是否为车规版),可用于车身控制模块(BCM)、座椅/车窗驱动等非安全关键应用。 该器件具备良好的雪崩耐量和ESD防护能力,配合优化的栅极电荷(Qg≈48nC),利于高频高效设计。选型时需注意散热设计(PCB铜箔面积建议≥10 cm²)及驱动电压匹配(推荐VGS = 10V以确保充分导通)。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 10.3A SGL IPAKMOSFET NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
| Id-连续漏极电流 | 14 A |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,ON Semiconductor NTD4906N-35G- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | NTD4906N-35G |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.6 W |
| Pd-功率耗散 | 2.6 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 8 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1932pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5.5 毫欧 @ 30A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 其它名称 | NTD4906N-35G-ND |
| 功率-最大值 | 1.38W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | ON Semiconductor |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短截引线,IPak |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 75 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 75 |
| 正向跨导-最小值 | 52 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.3A (Ta), 54A (Tc) |
| 系列 | NTD4906N |
| 配置 | Single |