Datasheet下载- 型号： NTD4857NT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4857NT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4857NT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4857NT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4857NT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4857NT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4857NT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5 mΩ @ Vgs=10V）、高连续漏极电流（ID=60A）和优良的开关特性。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步整流BUCK/BOOST转换器中作为主开关或同步整流管，提升效率、降低温升； - 电机驱动电路：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动模块中的H桥或半桥开关单元； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、工业控制板、LED驱动电源等设备中用作高效、快速响应的电源通断控制开关； - 电池保护与充电管理：在锂电池保护板或快充模块中承担过流/短路保护的主控开关角色； - 消费电子与嵌入式系统：如智能家电、POS终端、安防设备等对能效与可靠性要求较高的中低压（≤30V）应用。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.0V），可直接由MCU或驱动IC控制，配合良好的热性能（RθJA≈62°C/W），适合紧凑型PCB布局。需注意设计时合理配置栅极驱动电阻与PCB散热铜箔，以保障开关稳定性与长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4857NT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1960pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.31W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 78A （Tc） |
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