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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTD4857NAT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4857NAT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4857NAT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4857NAT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4857NAT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4857NAT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4857NAT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）表面贴装封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 10.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高连续漏极电流（ID = 60 A）及优良的开关性能。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的主开关或同步整流管，提升效率并减小温升； - 电机驱动电路：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机驱动中的H桥上下臂开关； - 负载开关与电源管理：作为主板、工业控制板或消费电子设备中的高效热插拔/电源通断控制开关； - LED照明驱动：用于恒流调光或PWM调光电路中的功率开关； - 电池供电系统：如便携式设备、电动工具中的电池保护与充放电路径控制（需配合保护IC使用）。 该器件具备100 V耐压、快速开关特性（ton/toff 约数十纳秒）及良好的雪崩耐量，适合中等功率、高频（≤500 kHz）开关应用。注意设计时需合理布局PCB散热焊盘，并确保栅极驱动电压稳定（推荐10 V以充分导通），避免因驱动不足导致导通损耗增大。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 12A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4857NAT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1960pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 1.31W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 78A （Tc） |
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![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/ITCSN-0800-6"-BLACK-12-3 PC PKS.jpg)
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