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详细数据请看参考数据手册
- 型号： NTD4857NA-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4857NA-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4857NA-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4857NA-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4857NA-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4857NA-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4857NA-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 9.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高电流能力（ID = 60 A）和快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压转换器（Buck Converter）的主开关或同步整流管，提升效率并降低温升； 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥下管或单边开关，支持PWM调速； 3. 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、工业控制板、智能家电等设备中用作高效、低损耗的电源通断控制； 4. LED驱动与照明系统：作为恒流/调光开关元件，满足高可靠性与热稳定性要求； 5. 电池管理系统（BMS）：用于充放电保护回路中的隔离与过流切断功能。 该器件具备100 V耐压、良好的雪崩耐受能力及符合AEC-Q101标准的工业/汽车级可靠性（注：NTD4857NA-1G为工业级，非车规，但部分衍生型号可用于车载辅助系统），适用于中高压、中大电流的高效率开关场景。其表面贴装封装便于自动化生产，兼顾散热与PCB空间限制。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 78A SGL IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4857NA-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1960pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 32nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.31W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Ta）， 78A （Tc） |
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