Datasheet下载- 型号： NTD4856N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4856N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4856N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4856N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4856N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4856N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4856N-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 9.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高连续漏极电流（ID = 75 A）和快速开关特性。其典型应用场景包括： 1. DC-DC电源转换：广泛用于同步降压转换器（Buck Converter）的主开关或同步整流管，尤其适用于服务器、通信设备及工业电源中的高效、高密度电源模块。 2. 电机驱动：适用于中小功率直流电机、步进电机驱动电路中的H桥下管或单向驱动开关，如电动工具、风扇控制、打印机等。 3. 负载开关与电源管理：在主板、嵌入式系统中用作热插拔保护、电源轨切换或电池供电系统的后级负载开关，支持低损耗通断控制。 4. LED驱动与照明电源：作为恒流/恒压控制回路中的功率开关，用于高亮度LED驱动器或智能照明系统。 该器件具备良好的雪崩耐量与ESD防护能力，工作结温范围宽（–55°C 至 +175°C），适合工业级与汽车级（AEC-Q101兼容，但需确认具体批次认证）严苛环境。注意：实际应用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、散热（PCB铜箔面积≥2 cm²推荐）及SOA（安全工作区）裕量，以确保长期可靠性。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 13.3A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4856N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2241pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.7 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.33W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13.3A （Ta）， 89A （Tc） |
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