Datasheet下载- 型号： NTD4815N-1G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4815N-1G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4815N-1G价格参考。ON SemiconductorNTD4815N-1G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4815N-1G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4815N-1G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4815N-1G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅12.5 mΩ @ Vgs=10V）、高电流能力（ID=15.5A连续，脉冲达60A）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压（Buck）转换器的下管（low-side switch），尤其适用于笔记本电脑、机顶盒、网络设备等中等功率（10–50W）的板载电源模块； - 负载开关与电源管理：在便携式设备（如打印机、POS终端、智能电表）中用作高效、低损耗的主电源通断控制； - 电机驱动：适用于小功率直流电机（如风扇、泵、小型机器人关节）的H桥或单路驱动电路； - LED驱动与背光控制：在液晶显示背光恒流驱动中作为PWM调光开关，利用其快速响应和低热耗提升能效； - 电池保护与充电管理：在锂电池充放电保护板（BMS）中承担过流/短路保护开关功能。 该器件支持逻辑电平驱动（Vgs(th)低至1.0–2.0V），可直接由MCU GPIO（3.3V/5V）驱动，简化外围设计；内置ESD保护与雪崩额定能力（EAS=17mJ），提升系统鲁棒性。适用于注重效率、温升与成本平衡的工业与消费类中功率应用。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.9A IPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4815N-1G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 770pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.6nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 15 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | I-Pak |
| 功率-最大值 | 1.26W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 75 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.9A （Ta）， 35A （Tc） |
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