Datasheet下载- 型号： NTD4809NAT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTD4809NAT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD4809NAT4G价格参考。ON SemiconductorNTD4809NAT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTD4809NAT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD4809NAT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTD4809NAT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用TO-252（DPAK）封装，具有低导通电阻（RDS(on) ≈ 12.5 mΩ @ VGS = 10 V）、高连续漏极电流（ID = 76 A @ TC = 25°C）及快速开关特性。其典型应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于同步降压转换器（Buck Converter）的主开关或同步整流管，提升效率并减小散热需求； - 电机驱动：适用于中小功率有刷直流电机、步进电机驱动电路中的H桥下臂开关； - 负载开关与电源管理：在笔记本电脑、工业控制板、LED驱动电源中用作高效、低损耗的电源通断控制； - 电池管理系统（BMS）：用于充放电保护回路中的高侧/低侧开关，支持过流、短路快速响应； - 消费电子与嵌入式系统：如打印机、POS终端、智能家电等对能效和空间有要求的设备中替代传统三极管，实现更紧凑、更可靠的电源设计。 该器件具备100%通过UIS（非钳位感性开关）测试、强雪崩耐受能力及符合RoHS标准，适合中高功率、高频（数十kHz至数百kHz）开关应用。需注意合理设计栅极驱动（推荐VGS = 10 V以确保充分导通）及PCB散热布局，以发挥其性能优势。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9A DPAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTD4809NAT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1456pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 9 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.6A （Ta）， 58A （Tc） |
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