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  • 型号: NTD2955-001
  • 制造商: ON Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD2955-001由ON Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD2955-001价格参考。ON SemiconductorNTD2955-001封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载NTD2955-001参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有NTD2955-001 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD2955-001 是安森美(ON Semiconductor)推出的P沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,具有-60V耐压、-12A连续漏极电流(Tc=25℃)、典型Rds(on)为0.28Ω(Vgs = -10V),具备低导通损耗与良好热稳定性。

其典型应用场景包括:  
✅ DC-DC电源转换:常用于同步降压转换器的高边或反激/正激拓扑中的辅助开关,实现高效能量控制;  
✅ 负载开关与电源管理:在工业控制、通信设备及嵌入式系统中,用作板级电源的通断控制(如CPU供电域隔离、热插拔保护);  
✅ 电机驱动电路:适用于中小功率有刷直流电机的H桥上臂开关或单向驱动,配合N沟道MOSFET构成互补驱动;  
✅ 逆变器与LED驱动:在低压离线LED恒流驱动或小型逆变模块中承担开关与过流保护功能;  
✅ 电池管理系统(BMS):用于电池充放电路径控制、反接保护及充电截止开关,利用其P沟道特性简化驱动设计(可直接由MCU GPIO控制)。

该器件支持逻辑电平驱动(Vgs(th)约-2V至-4V),兼容3.3V/5V控制器,且内置ESD保护和雪崩额定能力(EAS=120mJ),提升了系统鲁棒性。适用于中等功率、对成本与可靠性要求较高的工业及消费类电源应用。
产品参数 图文手册 常见问题
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