【未分类_NTD12N10G】封装/厂家_NTD12N10G中文资料_价格

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型号： NTD12N10G
制造商： ON Semiconductor
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供NTD12N10G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTD12N10G价格参考。ON SemiconductorNTD12N10G封装/规格：未分类，暂无。您可以下载NTD12N10G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTD12N10G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

NTD12N10G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。其主要应用场景包括：

1. 开关电源 (SMPS)：  
   NTD12N10G 适用于开关电源中的高频开关应用，例如降压、升压或反激式转换器。其低导通电阻 (Rds(on)) 和快速开关特性能够提高效率并减少功率损耗。

2. 电机驱动：  
   在小型直流电机或步进电机的驱动电路中，NTD12N10G 可作为功率开关，控制电机的启动、停止和速度调节。其耐压能力（100V）和电流承载能力（高达 6.7A）使其适合多种电机驱动场景。

3. 负载开关：  
   该 MOSFET 可用于负载开关应用，例如在消费电子设备中实现电源管理功能。通过控制栅极电压，可以快速开启或关闭负载，同时降低功耗。

4. 电池管理系统 (BMS)：  
   在电池保护电路中，NTD12N10G 能够用作高侧或低侧开关，防止过流、短路或过度放电等异常情况。其低导通电阻有助于减少电池能量损耗。

5. LED 驱动：  
   用于 LED 照明系统中的恒流或恒压驱动电路，NTD12N10G 提供高效的电流调节能力，确保 LED 的亮度稳定且能耗较低。

6. 逆变器与太阳能微逆变器：  
   在小型逆变器或太阳能微逆变器中，该 MOSFET 可用于 DC-AC 转换电路，实现高效的能量转换。

7. 汽车电子：  
   虽然 NTD12N10G 不是专为汽车级设计，但在某些非关键车载应用中（如车窗升降器、座椅调节器等），它可以作为功率开关使用。

8. 信号放大与缓冲：  
   在需要低失真和高效率的信号放大或缓冲电路中，NTD12N10G 的高性能特性使其成为理想选择。

总结来说，NTD12N10G 因其出色的电气性能和可靠性，广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备及轻型汽车电子等领域，特别适合需要高效功率转换和低功耗的场景。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
产品分类	FET - 单
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
品牌	ON Semiconductor
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	NTD12N10G
PCN过时产品	点击此处下载产品Datasheet
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	-
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	550pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	20nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	165 毫欧 @ 6A，10V
供应商器件封装	DPAK-3
其它名称	NTD12N10G-ND NTD12N10GOS
功率-最大值	1.28W
包装	管件
安装类型	表面贴装
封装/外壳	TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63
标准包装	75
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	12A （Ta）