Datasheet下载- 型号： NTB65N02RT4G
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供NTB65N02RT4G由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 NTB65N02RT4G价格参考。ON SemiconductorNTB65N02RT4G封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载NTB65N02RT4G参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有NTB65N02RT4G 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
NTB65N02RT4G 是安森美（ON Semiconductor）推出的N沟道增强型功率MOSFET，采用DPAK（TO-252）封装，具有低导通电阻（Rds(on)典型值仅3.8 mΩ @ Vgs=10V）、高连续漏极电流（ID=65A）、耐压20V等特点。其主要应用场景包括： - DC-DC电源转换：广泛用于笔记本电脑、平板、通信设备等的同步降压（Buck）转换器中，作为高效率主开关或同步整流管，提升能效并减小温升。 - 负载开关与电源管理：适用于主板、电源模块中的热插拔控制、电池保护电路、USB端口过流保护及智能电源分配等，凭借低Rds(on)和快速开关特性实现低功耗与高响应性。 - 电机驱动：在小型直流电机（如风扇、打印机步进电机驱动H桥的下臂）中用作功率开关，支持高频PWM调速。 - LED照明驱动：用于恒流LED驱动电路中的开关元件，尤其适用于中大功率LED背光或照明模块。 该器件具备良好的雪崩耐受能力、100%经过UIS（非钳位感性开关）测试，并符合RoHS标准，适合工业级与消费类电子中对可靠性、效率和空间紧凑性要求较高的场景。注意：实际应用中需合理设计栅极驱动（避免振荡）、散热（建议PCB铺铜散热）及ESD防护。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 24V 7.6A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | NTB65N02RT4G |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1330pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 9.5nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | NTB65N02RT4GOS |
| 功率-最大值 | 1.04W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 24V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 65A （Tc） |
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